“STMicroelectronics” awtoulag IC pudagynda öwrülişik edip, awtoulag SiC enjamlaryny giňeldýär.

Hemişe ösýän awtoulag pudagynda has netijeli we ygtybarly enjamlara isleg artýar.Icarymgeçiriji çözgütler boýunça dünýäde öňdebaryjy STMicroelectronics, awtoulag kremniy karbid (SiC) enjamlarynyň portfelini giňeltmek arkaly bu islegi kanagatlandyrmak üçin adatdan daşary ädim ätdi.Öňdebaryjy tehnologiýany awtoulag integral zynjyrlarynda (IC) toplan tejribesi bilen birleşdirip, STMicroelektronika ulaglaryň işleýşini üýtgedýär we has arassa, has ygtybarly geljege ýol açýar.

SiC enjamlaryna düşünmek
Silikon karbid enjamlary, ýokary öndürijiligi sebäpli köpden bäri elektronika pudagynda oýun çalşyjy hasaplanýar.STMicroelektronika SiC-iň potensialyny ykrar etdi we bu tehnologiýany öwrenmekde we ösdürmekde öňdäki hatarda durýar.Silikon karbid enjamlarynyň awtoulag giňişligine iň soňky giňelmegi bilen, awtoulag pudagyna innowasiýa, netijeli çözgütler bermek borjuny hasam berkitýärler.

Awtoulag IC-lerinde SiC-iň artykmaçlyklary
SiC enjamlary adaty kremniý esasly enjamlardan birnäçe artykmaçlygy hödürleýär.Ajaýyp ýylylyk geçirijiligi sebäpli, SiC enjamlary has ýokary temperaturada işläp bilýärler we ýylylygyň ýaýramagy möhüm bolan awtoulag goşundylary üçin amatly bolýar.Mundan başga-da, SiC enjamlary az sarp ediş we has ýokary kommutasiýa tizligine eýe bolup, energiýa netijeliligini we ulgamyň umumy işleýşini ýokarlandyrýar.

Güýç modullary we MOSFETler
Giňeldilen önüm bukjasynyň bir bölegi hökmünde STMicroelectronics, awtoulag programmalary üçin niýetlenen SiC güýç modullarynyň we MOSFET-leriň giň toplumyny hödürleýär.Ösen gaplama tehnologiýalary bilen birleşdirilen bu enjamlar, kiçi aýak yzynda has ýokary dykyzlygy üpjün edýär, bu awtoulag öndürijilerine kosmosdan peýdalanmagy optimizirlemäge we elektrik ulaglarynyň doly mümkinçiligini açmaga mümkinçilik berýär.

Duýgurlyk we gözegçilik IC
SiC enjamlarynyň awtoulag elektronikasyna bökdençsiz birleşmegini üpjün etmek üçin STMicroelectronics, şeýle hem duýgur IC we gözegçilik IC-leriniň giňişleýin hataryny hödürleýär.Bu enjamlar takyk we ygtybarly ölçemegi, elektrik dolandyryşy, tormozlamak we motor dolandyryşy ýaly dürli awtoulag ulgamlaryna gözegçilik we gözegçiligi üpjün edýär.Bu möhüm komponentlerde SiC tehnologiýasyny ulanmak bilen, STMicroelectronics häzirki zaman ulaglarynyň öndürijiligini we howpsuzlyk standartlaryny ýokarlandyrýar.

Elektrik ulagynyň öwrülişigi
Dünýä uglerod zyňyndylaryny azaltmak we howanyň üýtgemegine garşy göreşmek üçin elektrik ulaglaryna (EV) ýüzlenýärkä, netijeli elektrik elektronikasyna bolan isleg artýar.“STMicroelectronics” -iň awtoulag pudagy üçin giňeldilen SiC enjamlary bu üýtgeýän üýtgemäni amala aşyrmakda möhüm rol oýnaýar.SiC enjamlary has ýokary naprýa .eniýeleri we toklary dolandyrmaga ukyply, has çalt zarýad bermäge, has uzak elektrik ulagy diapazonyna we güýç dolandyryş ulgamlaryny kämilleşdirmäge ýol açýar.

Giňeldilen ygtybarlylyk we çydamlylyk
SiC enjamlarynyň möhüm artykmaçlyklaryndan biri, olaryň ygtybarlylygy we berkligi.SiC enjamlary aşa temperatura we ýokary çyglylyk ýaly agyr iş şertlerine, adaty kremniy enjamlaryndan ýokary bolup biler.Bu güýçlendirilen berklik, “STMicroelectronics” SiC enjamlary bilen enjamlaşdyrylan awtoulag ulgamlarynyň ömrüniň dowamynda ajaýyp öndürijiligini saklamagyny üpjün edýär, häzirki zaman ulaglarynyň umumy hyzmat möhletini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrmaga kömek edýär.

Senagat hyzmatdaşlygy
“STMicroelectronics” SiC enjamlarynyň awtoulag pudagynda giňelmegi garaşsyz üstünlik däl, awtoulag öndürijileri, üpjün edijiler we gözleg edaralary bilen üstünlikli hyzmatdaşlygyň netijesidir.STMicroelectronics, esasy pudak gyzyklanýan taraplary bilen ýakyndan işleşip, SiC enjamlarynyň awtoulag bazarynyň dinamiki zerurlyklaryny doly kanagatlandyrmagyny üpjün etmek üçin iň soňky awtoulag tendensiýalary, müşderileriň zerurlyklary we döreýän tehnologiýalar bilen tanyşýar.

Daşky gurşawyň peýdalary
Tehniki artykmaçlyklaryndan başga-da, SiC enjamlary daşky gurşawa peýdalydyr.Energiýa netijeliligini ýokarlandyrmak we energiýa ýitgilerini azaltmak arkaly STMicroelectronics SiC enjamlary energiýa sarp edilişini azaltmaga we ulagyň uglerod yzyny azaltmaga kömek edýär.Mundan başga-da, kremniy karbid enjamlary elektrik ulaglary üçin zarýad beriş infrastrukturasyny ösdürmäge kömek edýär, has çalt zarýad bermäge mümkinçilik berýär we durnukly transport çözgütleriniň kabul edilmegine kömek edýär.

Geljekdäki mümkinçilikler
Awtoulag pudagy ösmegini dowam etdirýärkä, STMicroelektronika awtoulag IC-lerinde täzelikleri herekete getirmäge we täze ülňüleri kesgitlemäge çalyşýar.SiC enjamlarynyň barha giňelýän portfeli bilen, geljekdäki ösüşler üçin mümkinçilikler gaty uludyr.Awtonom sürüjilikden başlap, ösen sürüjilere kömek ulgamlaryna (ADAS) çenli, SiC enjamlarynyň awtoulag pudagyny özgertmegine we ulaglaryň has ygtybarly, has akylly we has ygtybarly bolmagyna garaşylýar.

Netije
STMicroelectronics-iň awtoulag pudagynda SiC enjamlaryna ýaýramagy awtoulag IC pudagynda möhüm tapgyry alamatlandyrýar.STMicroelektronika has ýokary temperatura garşylygy we pes energiýa ýitgileri ýaly kremniy karbidiň has ýokary häsiýetlerini ulanmak bilen has arassa, has ygtybarly we has netijeli awtoulag geljegine tarap ýol açýar.Ulaglar barha elektrikleşip we awtomatlaşdyrylansoň, ygtybarly we ýokary öndürijilikli SiC enjamlarynyň ähmiýetini artykmaç aýdyp bolmaz we STMicroelektronika bu üýtgeşmäniň başynda durýar.


Iş wagty: 20-2023-nji sentýabr